[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效
| 申请号： | 202010213981.3 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111755507B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 今井元;大东彻;菊池哲郎;山中昌光;原义仁;川崎达也;铃木正彦;西宫节治 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/44;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供有源矩阵基板，其具备氧化物半导体TFT，能降低寄生电容。有源矩阵基板具备源极总线、下部绝缘层、包含氧化物半导体层的氧化物半导体TFT、栅极总线及多个配线连接部，氧化物半导体层在形成于下部绝缘层的源极用开口部内电连接到源极电极或源极总线，各配线连接部包含：下部导电部，其使用第1导电膜形成；下部绝缘层，其在下部导电部上延伸设置；氧化物连接层，其与氧化物半导体层使用相同氧化物膜形成，并在形成于下部绝缘层的下部开口部内电连接到下部导电部；绝缘层，其覆盖氧化物连接层；以及上部导电部，其在形成于绝缘层的上部开口部内电连接到氧化物连接层，氧化物连接层包含电阻率比氧化物半导体层的沟道区域的电阻率低的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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