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[发明专利]带对准标记的基板的制造方法-CN201811015011.1有效
发明人：前田昌纪;原义仁;大东彻;今井元;北川英树;伊藤俊克;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：缩小配置空间并且提高对准精度。阵列基板(10B)的制造方法具备：第1金属膜形成工序，通过形成第1金属膜(23)并对其进行图案化，形成具有包括开口的下层侧对准标记(39)的下层侧对准标记构成部(40)；第2金属膜成膜工序，形成第2金属膜(25)；光致抗蚀剂膜形成工序，通过形成光致抗蚀剂膜(41)并对其进行图案化，形成与下层侧对准标记的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部(42)；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去第1金属膜(23)和第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部不重叠的部分，形成包括第2金属膜的上层侧对准标记(38)；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离光致抗蚀剂膜。
对准标记制造方法

[发明专利]有源矩阵基板以及其制造方法-CN202010444250.X有效
发明人：北川英树;原义仁;前田昌纪;平田义晴;川崎达也;上田辉幸;今井元;大东彻 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种有源矩阵基板以及其制造方法。有源矩阵基板包括：基板；多个下部总线以及多个上部总线；下部绝缘层，位于多个下部总线与多个上部总线之间；氧化物半导体TFT，是配置在各像素区域的氧化物半导体TFT，包含配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；像素电极，配置在各像素区域；多个配线连接部，配置在非显示区域。各配线连接部包含：下部导电层，使用与多个下部总线相同的导电膜而形成；绝缘层，是在下部导电层上延伸设置的，包含下部绝缘层的绝缘层，包含露出下部导电层的一部分的第一开口部；其他导电层，在第一开口部内连接在下部导电层。多个下部总线以及下部导电层包含：包含金属层、和覆盖金属层的上面以及侧面的透明导电层。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN202010213981.3有效
发明人：今井元;大东彻;菊池哲郎;山中昌光;原义仁;川崎达也;铃木正彦;西宫节治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：提供有源矩阵基板，其具备氧化物半导体TFT，能降低寄生电容。有源矩阵基板具备源极总线、下部绝缘层、包含氧化物半导体层的氧化物半导体TFT、栅极总线及多个配线连接部，氧化物半导体层在形成于下部绝缘层的源极用开口部内电连接到源极电极或源极总线，各配线连接部包含：下部导电部，其使用第1导电膜形成；下部绝缘层，其在下部导电部上延伸设置；氧化物连接层，其与氧化物半导体层使用相同氧化物膜形成，并在形成于下部绝缘层的下部开口部内电连接到下部导电部；绝缘层，其覆盖氧化物连接层；以及上部导电部，其在形成于绝缘层的上部开口部内电连接到氧化物连接层，氧化物连接层包含电阻率比氧化物半导体层的沟道区域的电阻率低的区域。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]多孔成型体及其制造方法-CN201910590792.5有效
发明人： 川崎达也;田口吉昭 -专利权人：宝理塑料株式会社
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明提供具有优异的强度及低介电常数的多孔成型体及其制造方法。通过制成使用聚芳硫醚树脂粉体而成且孔隙率为20％以上且60％以下的多孔成型体，从而解决上述技术问题，所述聚芳硫醚树脂粉体的平均粒径为5μm以上且100μm以下、用差示扫描量热计测定的熔点Tm1为250℃以上且300℃以下。聚芳硫醚树脂粉体的通过动态图像分析法测定的平均圆形度优选为0.70以上且1.00以下。
多孔成型及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN201811238583.6有效
发明人：原义仁;北川英树;大东彻;今井元;前田昌纪;川崎达也;伊藤俊克 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23)，像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成，旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p)，旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]液晶性树脂微粒的制造方法-CN202111508988.9有效
发明人：田口吉昭;川崎达也 -专利权人：宝理塑料株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：提供一种耐热性高、并且杂质少且为球状的液晶性树脂微粒的制造方法。该方法具有如下工序：熔融混合工序，在280℃以上且400℃以下，对熔点为250℃以上且370℃以下的液晶性树脂A100质量份和热塑性树脂B300质量份以上且900质量份以下进行熔融混合，从而得到包含液晶性树脂A及热塑性树脂B的组合物C，所述热塑性树脂B与液晶性树脂A为非相溶性、且熔点或玻璃化转变点为80℃以上且400℃以下；以及清洗工序，在液晶性树脂A的溶解度为1以下且热塑性树脂B的溶解度为5以上的溶剂中对前述组合物C进行搅拌，所述溶解度用在40℃的溶剂100g中溶解的树脂的质量(g)表示，熔融混合工序中使用的热塑性树脂B中的酯键及酰胺键的含量在全部单体单元中总计为20摩尔％以下。
液晶树脂微粒制造方法

[发明专利]压制成形品用粉状液晶性树脂、压制成形品及其制造方法-CN201980080557.1有效
发明人：田口吉昭;川崎达也 -专利权人：宝理塑料株式会社
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：本发明提供能够制造高机械强度的压制成形品的粉状液晶性树脂、以及使用了其的压制成形品及其制造方法。一种压制成形品用粉状液晶性树脂，其体积密度超过0.05g/cm3且为0.5g/cm3以下。粉状液晶性树脂的JIS Z8825:2013中定义的粒径分布的幅度优选为3.0以上且12以下。粉状液晶性树脂的平均粒径优选为10μm以上且300μm以下。粉状液晶性树脂的结晶度优选为20％以上且70％以下。
压制成形粉状液晶树脂及其制造方法

[发明专利]树脂组合物及其应用、树脂组合物的制造方法-CN201880072008.5有效
发明人：菊地重信;川崎达也;秋本真也;牧野繁男;真岸徳治 -专利权人：普林科技有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C08G65/40 文献下载
摘要：本发明提供一种对于甲基乙基酮等低沸点溶剂的溶解性及保存稳定性良好的树脂组合物及其应用、树脂组合物的制造方法。树脂组合物，是将含有式(1)所表示的(A)聚马来酰亚胺化合物与(B)苯并恶嗪化合物的树脂混合物100质量份中的所述(A)聚马来酰亚胺化合物的含量设为30质量份～95质量份，且通过将所述树脂混合物熔融混合的熔融混合步骤制造而成。
树脂组合及其应用制造方法

[发明专利]树脂组合物、清漆、层叠板以及印刷配线基板-CN201980090453.9有效
发明人： 川崎达也;菊地重信 -专利权人：普林科技有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C08G59/56 文献下载
摘要：本发明是一种树脂组合物，其是将含有(A)聚马来酰亚胺化合物、(B)苯并噁嗪、(C)环氧树脂、及(D)薰草酮树脂的树脂混合物进行熔融而获得，且上述树脂混合物的树脂成分100质量份中的上述(A)聚马来酰亚胺化合物的含量为40质量份～70质量份，所述树脂组合物具有高耐热性及低介电特性(低相对介电常数、低介电损耗正切)，且可用作层叠板、印刷配线基板、接着剂、密封剂、涂料及成形品等电子、电气零件。本发明还提供一种清漆、层叠板以及印刷配线基板。
树脂组合清漆层叠以及印刷配线基板

[发明专利]显示面板用基板的制造方法-CN201811057904.2有效
发明人：原义仁;大东彻;今井元;前田昌纪;北川英树;伊藤俊克;川崎达也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种显示面板用基板的制造方法，抑制对半导体膜和透明电极膜中的一个膜进行的蚀刻处理、退火处理给另一个膜带来不良影响的事态。其特征在于，具备：像素电极形成工序，在覆盖栅极电极(34)的栅极绝缘膜(38)上形成包括透明电极膜的像素电极(33)；半导体膜形成工序，在像素电极形成工序之后进行，在栅极绝缘膜(38)上以一部分覆盖像素电极(33)的形式形成半导体膜(42)；退火处理工序，在半导体膜形成工序之后进行，对半导体膜(42)进行退火处理；以及蚀刻工序，在退火处理工序之后进行，通过对半导体膜(42)进行蚀刻，将与栅极电极(34)重叠的沟道部(37)形成在与像素电极(33)同一层。
显示面板用基板制造方法

[发明专利]液晶性树脂微粒的制造方法-CN201980039894.6有效
发明人：田口吉昭;川崎达也 -专利权人：宝理塑料株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：提供一种耐热性高、并且杂质少且为球状的液晶性树脂微粒的制造方法。一种液晶性树脂微粒的制造方法，其具有如下工序：熔融混合工序，在280℃以上且400℃以下，对熔点为250℃以上且370℃以下的液晶性树脂A100质量份和热塑性树脂B300质量份以上且900质量份以下进行熔融混合，从而得到包含液晶性树脂A及热塑性树脂B的组合物C，所述热塑性树脂B与液晶性树脂A为非相溶性、且熔点或玻璃化转变点为80℃以上且400℃以下；以及清洗工序，在液晶性树脂A的溶解度为1以下且热塑性树脂B的溶解度为5以上的溶剂中对前述组合物C进行搅拌，所述溶解度用在40℃的溶剂100g中溶解的树脂的质量(g)表示，熔融混合工序中使用的热塑性树脂B中的酯键及酰胺键的含量在全部单体单元中总计为20摩尔％以下。
液晶树脂微粒制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN202110613024.4在审
发明人：今井元;大东彻;上田辉幸;原义仁;前田昌纪;川崎达也;平田义晴 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极，第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构，第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极，第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率，第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上，第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜，并且不包含第1绝缘膜，在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN202011484960.1在审
发明人：今井元;大东彻;上田辉幸;原义仁;前田昌纪;川崎达也;平田义晴;菊池哲郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供具备顶栅型的氧化物半导体TFT并且能抑制由ESD导致的源极‑栅极间的漏电的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备多个源极总线、覆盖源极总线的下部绝缘层、形成在下部绝缘层的上方的多个栅极总线、以及与各像素区域对应配置的氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；以及栅极电极，其配置在氧化物半导体层的上方，形成在与栅极总线不同的层，并且与配置在相邻的像素区域的栅极电极分离配置，栅极电极由层间绝缘层覆盖，栅极总线配置在层间绝缘层上、以及形成于层间绝缘层的栅极接触孔内，在栅极接触孔内连接到栅极电极。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN202010782151.2在审
发明人：原义仁;大东彻;今井元;前田昌纪;川崎达也;北川英树;平田义晴 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：有源矩阵基板包括栅极总线、源极总线、下部绝缘层以及氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层、栅电极、源电极、以及连接氧化物半导体层以及源电极的第一欧姆导电部，下部绝缘层具有使源电极的至少一部分露出的源极用开口部，第一欧姆导电部配置在下部绝缘层上以及源极用开口部内，且在源极用开口部内与源电极的至少一部分直接接触，氧化物半导体层的第一区域与第一欧姆导电部的上表面直接接触。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]热压成型品用粉状液晶性树脂和热压成型品-CN201980032739.1在审
发明人：田口吉昭;川崎达也 -专利权人：宝理塑料株式会社
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C08J3/12 文献下载
摘要：[课题]提供：能制造各向异性小的热压成型品的粉状液晶性树脂和使用其的热压成型品。[解决方案]通过形成如下热压成型品用粉状液晶性树脂而解决上述课题：在全部结构单元中含有90摩尔％以上的源自芳香族羟基羧酸的结构单元，所述液晶性树脂的平均粒径为10μm以上且300μm以下。优选结晶度为10％以上且60％以下。优选以差示扫描量热计测定的熔点Tm2与熔点Tm1的起始温度之差ΔTm(Tm2‑Tm1起始温度)为30℃以上且90℃以下。
热压成型粉状液晶树脂

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