[发明专利]切割带一体型半导体背面密合薄膜在审
| 申请号： | 202010213785.6 | 申请日： | 2020-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN111739832A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 志贺豪士;佐藤慧 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供对于贴合具有再加工性的切割带一体型半导体背面密合薄膜。本发明的复合薄膜(X)(切割带一体型半导体背面密合薄膜)具备薄膜(10)(半导体背面密合薄膜)及切割带(20)。对硅晶圆平面在70℃下贴合的薄膜(10)所来源的试验片与前述硅晶圆平面之间的在第1条件下的剥离试验中测定的第2剥离粘合力，比薄膜(10)与切割带(20)之间的、在规定的第1条件下的剥离试验中测定的第1剥离粘合力大。另外对硅晶圆平面在70℃下贴合的薄膜(10)所来源的试验片与前述硅晶圆平面之间的在第2条件下的剥离试验中测定的第4剥离粘合力，比薄膜(10)与切割带(20)之间的在规定的第2条件下的剥离试验中测定的第3剥离粘合力小。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 体型 半导体 背面 薄膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
