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[发明专利]热固性树脂组合物、热固性片、及半导体芯片包覆构件-CN202210456785.8在审
发明人：宍戸雄一郎;佐藤慧;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明的热固性片具备半导体芯片包覆层，该半导体芯片包覆层包含热固性树脂，并且以覆盖着半导体芯片的至少一部分的状态发生热固化，上述半导体芯片包覆层在温度140℃、频率10Hz及剪切应力5000Pa的条件下测定的热固化前的剪切模量为100Pa以上且2000Pa以下，并且在热固化后，对于波长500nm的光的直线透射率为60％以上且95％以下。
热固性树脂组合半导体芯片构件

[发明专利]建筑机械-CN201980017822.1有效
发明人：濑尾幸寿;石井伸弘;佐藤慧 -专利权人：日立建机株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： E02F9/00 文献下载
摘要：在上部回转体(5)所划分出的换热器室(26)内的前侧半部分，面对面配置有两台油冷却器(30、32)，并在后侧半部分配置有一台油冷却器(31)，将在其之间形成的空间(E)用作作业及通路空间。由冷却风扇(35)使外部空气作为冷却风向各油冷却器(30～32)流通，使在对置配置的两台(30、32)流通后的冷却风相互冲撞，并经由换热器室(26)的前壁(26a)的侧部排出口(38)及顶棚(26e)的第一上部排出口(39)向外部排出，并且将在另一台(31)流通后的冷却风冲撞到左侧壁(26c)，并经由顶棚(26e)的第二上部排出口(40)向外部排出。
建筑机械

[发明专利]切割带一体型半导体背面密合薄膜-CN202010213785.6在审
发明人：志贺豪士;佐藤慧 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供对于贴合具有再加工性的切割带一体型半导体背面密合薄膜。本发明的复合薄膜(X)(切割带一体型半导体背面密合薄膜)具备薄膜(10)(半导体背面密合薄膜)及切割带(20)。对硅晶圆平面在70℃下贴合的薄膜(10)所来源的试验片与前述硅晶圆平面之间的在第1条件下的剥离试验中测定的第2剥离粘合力，比薄膜(10)与切割带(20)之间的、在规定的第1条件下的剥离试验中测定的第1剥离粘合力大。另外对硅晶圆平面在70℃下贴合的薄膜(10)所来源的试验片与前述硅晶圆平面之间的在第2条件下的剥离试验中测定的第4剥离粘合力，比薄膜(10)与切割带(20)之间的在规定的第2条件下的剥离试验中测定的第3剥离粘合力小。
切割体型半导体背面薄膜

[发明专利]半导体背面密合薄膜及切割带一体型半导体背面密合薄膜-CN201980010799.3在审
发明人： 佐藤慧;志贺豪士;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：提供可在自隔离体的剥离时不易产生褶皱的半导体背面密合薄膜。半导体背面密合薄膜的平面投影面积为22500mm2以上，平面投影形状为具有至少1个曲率半径R1为0.5～10mm的圆弧部的非圆形状。一种切割带一体型半导体背面密合薄膜，其具备：切割带，所述切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和前述半导体背面密合薄膜，其以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，前述切割带的平面投影面积比前述半导体背面密合薄膜大，并且平面投影形状具有圆弧部。
半导体背面薄膜切割体型

[发明专利]半导体工艺片及半导体封装体制造方法-CN201880074101.X在审
发明人：志贺豪士;佐藤慧;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的半导体工艺片具备双面粘合片(10)和部分密封剂层(20)。双面粘合片(10)在其粘合面(10a、10b)间的层叠结构中包含基材(11)、粘合力降低型的粘合剂层(12)和例如压敏性的粘合剂层(13)。部分密封剂层(20)位于双面粘合片(10)的粘合面(10b)上。本发明的方法例如包括：对粘合面(10a)贴合于支撑体的半导体工艺片的部分密封剂层(20)安装多个半导体芯片的工序；使以包埋半导体芯片的方式供给的密封剂和部分密封剂层(20)固化而形成密封材料部的工序；使密封材料部与粘合面(10b)之间分隔的工序；在密封材料部上形成布线结构部的工序；及将密封材料部和布线结构部按每个半导体芯片进行分割的工序。所述半导体工艺片和方法适于效率良好地制造半导体封装体。
半导体工艺封装体制方法

[发明专利]背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜-CN201910451776.8在审
发明人： 佐藤慧;志贺豪士;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜。背面密合薄膜适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、能够以贴接于半导体芯片的背面的状态实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查。提供具备该背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。作为本发明的背面密合薄膜的薄膜含有在可见光和近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收的多个吸光成分。对由薄膜准备的厚度25μm的薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的总透光率相对于对同一试样片测定的波长1800nm的光线的总透光率的比值为1.2以上。切割带一体型背面密合薄膜X具备切割带(20)和以可剥离的方式密合于其粘合剂层(22)的薄膜(10)。
薄膜密合背面切割带一体型波长总透光率红外线显微镜半导体芯片红外线遮蔽激光标记性可见光薄膜试样波长区域近红外线芯片背面芯片检查粘合剂层最大吸收可剥离贴接吸光观察

[发明专利]电机控制装置-CN201410465368.5有效
发明人： 佐藤慧;伊藤直幸;井上普丘 -专利权人：欧姆龙汽车电子株式会社
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H02P27/08 文献下载
摘要：提供即使在一部分运算部由于故障等而停止的情况下，也能够继续PWM信号的输出的电机控制装置。电机控制装置(100)具备多个占空比运算部(12、22)，将由电流检测部(10)检测出的电机电流的值与由电流指令值运算部(11、21)运算出的电流指令值进行比较，基于它们的偏差来运算PWM信号的占空比；以及占空比设定部(31)，基于由这些运算部运算出的占空比而进行占空比的设定。占空比设定部(31)直至从占空比运算部(12、22)的其中一个输入新的占空比为止维持当前的占空比，若新的占空比被输入，则将当前的占空比更新为新的占空比。PWM信号生成部(4)基于占空比设定部(31)中设定的占空比和由载波信号生成部(32)生成的载波信号，生成PWM信号。
电机控制装置

[发明专利]发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件-CN201510937597.7在审
发明人：新堀悠纪;大薮恭也;佐藤慧;伊藤久贵 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提供发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件，方法包括以下工序：准备形成为片状的荧光体层的工序；在荧光体层的厚度方向中一方向侧的面形成光半导体层的工序；在光半导体层的一方向侧的面形成电极部的工序；以被覆光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；将密封树脂层的局部除去以露出电极部的一方向侧的面，从而制造发光二极管元件的工序；将电极部与端子电连接来在基底基板上倒装安装发光二极管元件的工序。
发光二极管装置制造方法元件

[发明专利]荧光体层及发光装置-CN201510624423.5在审
发明人：大薮恭也;佐藤慧;新堀悠纪;大田真也;伊藤久贵 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供荧光体层及发光装置，该荧光体层由分散有荧光体颗粒和光散射颗粒的树脂形成。
荧光发光装置

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置-CN201310012644.8无效
发明人： 佐藤慧 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法、半导体装置，其通过简易的制造方法获得利用焊锡进行接合情况下的高可靠性。首先，使温度上升到预热温度（区域Ⅰ：升温步骤）。接着，该预热温度被保持50～120秒钟（区域Ⅱ：预热步骤）。预热温度为比环氧树脂的硬化温度（180℃）低20～40℃的温度，这里约为150℃。然后，使峰值温度为比金属粒子（焊锡）52的熔点（220℃）高的260～280℃范围，例如为250℃，并保持30～50秒钟（区域Ⅲ：熔化步骤）。在该制造方法中，在预热步骤中，成为在未硬化的状态下焊剂包围半导体芯片的外周部的形态。然后，在熔化步骤中，密集状态的金属粒子熔化并熔合。
半导体装置制造方法

[发明专利]发光二极管装置及其制造方法-CN201310029669.9无效
发明人：片山博之;大薮恭也;佐藤慧 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明提供发光二极管装置及其制造方法，该发光二极管装置的制造方法具备：准备封装树脂层的工序；将发光二极管元件埋设在封装树脂层中的工序；以及边利用气体对埋设有发光二极管元件的封装树脂层加压、边进行加热的工序。
发光二极管装置及其制造方法

[发明专利]反光材料及发光二极管装置-CN201210180500.9有效
发明人： 佐藤慧;伊藤久贵;大薮恭也;新堀悠纪 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C08L83/10 文献下载
摘要：本发明涉及反光材料及发光二极管装置，所述反光材料含有：由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。
反光材料发光二极管装置

[发明专利]发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法-CN201210110419.3有效
发明人：大薮恭也;内藤俊树;佐藤慧 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法。该发光元件转印片的制造方法包括：准备发光元件片的工序，该发光元件片包括在一侧面上连接有电极部的光半导体层、层叠在光半导体层的另一侧面上的荧光体层；将发光元件片分割为多个、并形成多个发光元件的工序；将多个发光元件彼此隔开间隔地配置在基材上的工序；以覆盖发光元件的方式将含有光反射成分的反射树脂层形成在基材上的工序；除去反射树脂层的一部分而使电极部的一侧面从反射树脂层暴露出的工序。
发光元件转印片及其制造方法装置

[发明专利]发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件-CN201210088602.8有效
发明人：新堀悠纪;大薮恭也;佐藤慧;伊藤久贵 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件，方法包括以下工序：准备形成为片状的荧光体层的工序；在荧光体层的厚度方向中一方向侧的面形成光半导体层的工序；在光半导体层的一方向侧的面形成电极部的工序；以被覆光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；将密封树脂层的局部除去以露出电极部的一方向侧的面，从而制造发光二极管元件的工序；将电极部与端子电连接来在基底基板上倒装安装发光二极管元件的工序。
发光二极管装置制造方法元件

[发明专利]发光二极管装置及其制造方法-CN201210084562.X有效
发明人： 佐藤慧;伊藤久贵;大薮恭也;新堀悠纪 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法，制造方法具备以下工序：准备基底基板；使电极部设置于厚度方向一侧的光半导体层与基底基板相向配置，将电极部与端子进行电连接，将光半导体层倒装安装到基底基板；在基底基板的另一侧以覆盖光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层；去除密封树脂层的另一侧部，使得光半导体层暴露；以及以与光半导体层的另一面接触的方式形成呈片状的荧光体层。
发光二极管装置及其制造方法

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