[发明专利]窄设计窗口的对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010193302.0 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111341844B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 杨浩泽;汪洋;杨红姣 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/747;H01L29/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙) 44426 | 代理人： | 隆毅 |
| 地址： | 4111*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种窄设计窗口的对称双向可控硅静电防护器件及其制作方法，包括：P型衬底，P型外延层，第一P阱、第二P阱、第三P阱、第四P阱，第一N型深阱、第二N型深阱、第三N型深阱，第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区，和N+注入区Ⅰ、P+注入区Ⅱ、P+注入区Ⅲ、P+注入区Ⅳ、P+注入区Ⅴ、P+注入区Ⅵ，第三P+注入区和N+注入区Ⅰ以金属相连；第四P+注入区和N+注入区Ⅵ以金属相连；第一P+注入区、第二P+注入区、第六P+注入区和N+注入区Ⅱ连接在一起并作为器件的阴极，第五P+注入区和N+注入区Ⅱ连接在一起并作为器件的阳极，如此，增加电荷泄放的通路，提高维持电压。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 窗口 对称 双向 可控硅 静电 防护 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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