[发明专利]一种提高硅片温度均匀性的加热系统在审
| 申请号： | 202010190214.5 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111403316A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 戴佳卉 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 110179 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体设备制造技术领域，具体提供了一种提高硅片温度均匀性的加热系统,该系统采用加热盘对于硅片进行加热，所用加热盘具有盘柄，其中盘柄贯穿腔体内外，该系统包含一真空腔体，硅片与加热盘均位于该腔体内，加热盘对硅片进行非接触热辐射式加热，且加热盘与硅片之间的加热距离可调，同时加热盘具备旋转功能，旨在提高硅片的温度均匀性。本技术方案中硅片与加热盘之间无接触，热传递仅靠热辐射方式，这种传热方式对于硅片的温度均匀性影响同样有良好影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 硅片 温度 均匀 加热 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
