[发明专利]一种多介质检测传感器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010184503.4 申请日: 2020-03-16
公开(公告)号: CN111415993A 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 陆丛研;卢年端;李泠;刘宇;王嘉玮;耿玓;刘明 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/34;H01L31/113;H01L31/18
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供的一种多介质检测传感器及其制作方法,其中多介质检测传感器包括:衬底;栅极,设置于所述衬底上表面;有源层,覆盖在所述衬底的上表面,在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构;其中,所述腔体结构用于容纳气体介质形成栅介质层;其中,所述有源层为铟镓锌氧化物;源极和漏极,间隔的覆盖在所述有源层的两侧表面。本发明提供的多介质检测传感器可实现单一传感器进行紫外光以及多种气体的检测。
搜索关键词: 一种 介质 检测 传感器 及其 制作方法
【主权项】:
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