[发明专利]半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202010171009.4 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111244756B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 梁松;剌晓波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/34;H01S5/02251 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器及其制作方法，包括如下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、远场缩减层、间隔层、量子阱材料层、光栅层；刻蚀去除位于模斑转换器区的光栅层，将保留的位于激光器区的光栅层制作光栅；在制作有光栅的基片上依次生长间隙层、腐蚀停止层、包层及接触层；利用包层及接触层制作上脊波导，其中激光器区的上脊波导宽度不变，模斑转换器区的上脊波导宽度由激光器端向器件发光端逐渐减小；通过选择性湿法腐蚀去除上脊波导以外的腐蚀停止层后，使腐蚀停止层在上脊波导下发生侧向腐蚀；自模斑转换器区的间隙层刻蚀至缓冲层，制作下脊波导。本发明在半导体激光器上集成的模斑转换器可以采用普通接触式光刻工艺实现，有利于降低器件制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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