[发明专利]一种高阻抗半导体电阻器结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202010165357.0 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111653565B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 林志东;魏鸿基;王勇;王浩 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L27/02;H10N97/00;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高阻抗半导体电阻器结构及其制作方法，包括GaAs外延层以及设于所述GaAs外延层上的PIN结构，所述GaAs外延层包括盖层，所述PIN结构包括依次设于所述盖层之上的N型半导体层、I型半导体层和P型半导体层；所述PIN结构和所述盖层的至少部分深度注入有绝缘离子。本发明采用基于PIN结构的半导体电阻器，通过注入适量的绝缘离子对PIN结构轻微绝缘，获得高阻抗的半导体电阻器，拓宽了产品在高阻抗特性上的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻抗 半导体 电阻器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
