[发明专利]改善光刻机对准的方法有效
| 申请号： | 202010159622.4 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111240162B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 杨要华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善光刻机对准的方法，包括：提供一包含对准标记和辅助标记的晶圆，所述对准标记和所述辅助标记设置在所述晶圆的切割道内，所述辅助标记设置在所述对准标记周围，以增加对准标记周围的图形密度；对所述晶圆进行化学机械研磨，且化学机械研磨后的所述晶圆至少还具有所述对准标记；将化学机械研磨后的所述晶圆转移到光刻机上，并利用所述对准标记来进行光刻对准。通过在对准标记四周设置辅助标记来改善对准标记的图形环境，可以有效降低化学机械研磨工艺的影响，改善OVL，降低返工率和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 光刻 对准 方法 | ||
【主权项】：
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