[发明专利]集成电路器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010135576.4 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN112018060A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;刘醇鸿;史朝文;叶松峯;吴念芳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498;H01L23/31;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，集成电路器件包括：底部集成电路管芯，具有第一前侧和第一背侧；顶部集成电路管芯，具有第二前侧和第二背侧，该第二背侧接合至第一前侧，该顶部集成电路管芯没有衬底通孔(TSV)；围绕顶部集成电路管芯的介电层，该介电层设置在第一前侧上，该介电层和底部集成电路管芯横向共末端；以及通孔，延伸穿过介电层，该通孔电耦接至底部集成电路管芯，通孔、介电层和顶部集成电路管芯的表面是平坦的。本发明的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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