[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 202010131962.6 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111628054A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 西影治彦;宫本佳典;细川泰伸 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 韩锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够提高生产率的半导体元件的制造方法。半导体元件的制造方法具备：在第一晶圆(10)上形成由氮化物半导体构成的半导体层(20)的工序；将第二晶圆(30)隔着半导体层(20)贴合于第一晶圆(10)的工序。第一晶圆(10)的上表面(15)包括第一区域(11)和第二区域(12)，该第二区域设置在第一区域的周围，并且处于比第一区域低的位置。俯视时，通过第一晶圆(10)的中心且与半导体层(20)的m轴平行的第一方向(V1)上的第一晶圆(10)的端缘(17)与第一区域(11)的第一距离(D1)比通过第一晶圆(10)的中心且与半导体层(20)的a轴平行的第二方向(V2)上的第一晶圆(10)的端缘(17)与第一区域(11)的第二距离(D2)短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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