[发明专利]半导体存储装置

摘要

实施方式提供一种可抑制制造成本增加的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1配线层、第2配线层、多个第3配线层、第1绝缘层、以及第1存储器柱。第2配线层与第1配线层电性连接。多个第3配线层在第1方向上的第1配线层与第2配线层之间相互在第1方向上隔开积层，且在与第1方向交叉的第2方向上延伸。第1绝缘层贯通多个第3配线层，第1配线层侧的端部与第1配线层的第1面相接，且在第2方向上延伸。第1存储器柱贯通多个第3配线层，侧面与在第2方向上延伸且朝向与第1及第2方向交叉的第3方向的第1绝缘层的第2面相接，第1配线层侧的端部与第1配线层的第1面相接，且包括：含有在第1方向上延伸的第1半导体层、以及设在多个第3配线层与第1半导体层之间且可存储数据的电荷蓄积层。第1配线层的作为第1面的相反面的第3面与第2配线层的第1方向上的距离在与第1绝缘层对应的位置及与第3配线层对应的位置不同。