[发明专利]一种三维堆叠集成结构及其多芯片集成结构和制备方法有效
| 申请号： | 202010130712.0 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111312697B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李宝霞 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98;H01L23/498;H01L23/528;H01L23/532;H01L23/538;H01L21/50;H01L21/768 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陈翠兰 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种三维堆叠集成结构及其多芯片集成结构和制备方法，包括基片和嵌装在基片内的若干芯片；基片上设置若干贯穿基片正面和背面的导电通孔，与基片绝缘设置的导电通孔内部填充导电材料；基片背面间隔设置有若干凹槽，每个凹槽内均嵌入对应的芯片，芯片正面的芯片焊盘朝向基片背面；基片背面的表面依次设置有电连通的背面多层金属布线层、背面凸点下金属层和背面对外电引脚，基片正面的表面依次设置有电连通的正面多层金属布线层、正面凸点下金属层和正面对外电引脚，形成多芯片集成结构水平方向的电连接；实现多个芯片高密度、高性能、高可靠的三维TSV堆叠集成，解决不同功能、不同尺寸、不同材质、不同工艺的多个芯片三维集成问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 堆叠 集成 结构 及其 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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