[发明专利]具有锗纳米线沟道结构的栅极环绕式集成电路结构在审
| 申请号： | 202010128920.7 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111755509A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | C.邦伯格;A.墨菲;S.高斯;Z.盖格 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L29/06;H01L27/088;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了具有锗纳米线沟道结构的栅极环绕式集成电路结构，以及制备具有锗纳米线沟道结构的栅极环绕式集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括鳍上方的水平纳米线竖直布置，所述纳米线中的每个纳米线包括锗，并且所述鳍包括在第一半导体层上的缺陷修改层、在所述缺陷修改层上的第二半导体层、和在所述第二半导体层上的第三半导体层。栅极堆叠围绕所述水平纳米线竖直布置。第一外延源极或漏极结构在所述水平纳米线竖直布置的第一端；并且第二外延源极或漏极结构在所述水平纳米线竖直布置的第二端。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 沟道 结构 栅极 环绕 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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