[发明专利]一种新型耐高温的碳化硅器件封装结构及制备方法在审
| 申请号： | 202010101350.2 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111146153A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 洪思忠;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/06 | 分类号： | H01L23/06;H01L23/15;H01L23/20;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/52;H01L21/54 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种新型耐高温的碳化硅器件封装结构及制备方法。该新型耐高温的碳化硅器件封装结构包括：金属外壳、电极管脚、键合线、芯片、上纳米银焊层、覆铜陶瓷基板、下纳米银焊层；所述覆铜陶瓷基板通过下纳米银焊层连接于金属外壳的内侧底部；所述芯片通过上纳米银焊层连接于所述覆铜陶瓷基板上；所述芯片通过键合线与所述电极管脚连接。本发明解决目前钎焊与塑封工艺造成碳化硅器件无法工作在200℃以上的高温环境下的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 耐高温 碳化硅 器件 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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