[发明专利]一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构

摘要

本发明涉及一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。该三阶斜台面结终端结构包括阳极金属Ni接触区、三阶斜台面金属Ni场板、氮化层Si3N4、氧化层SiO2、N‑低浓度外延层、N+高浓度衬底、阴极金属Ni接触区。该结终端结构特点在于：阳极金属Ni接触区1和三阶斜台面金属Ni场板短接在一起，分别作为元胞区阳极和结终端金属场板。氧化层SiO2夹在氮化层Si3N4中间，形成三明治结构。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过利用三阶斜台面场板结终端区结构，能够有效地提高器件的反向击穿电压。