[发明专利]氧化物和氮化物的原子层沉积

摘要

使用沉积增强前体的气相沉积方法，例如原子层沉积(ALD)方法可用于形成多种氧化物和氮化物膜，包括金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、氧化硅和氮化硅膜。举例来说，所述方法可用于沉积过渡金属氮化物，例如TiN、过渡金属氧化物和氧化硅和氮化硅，例如SiO2和SiN。在一些实施例中，所述沉积增强前体包含第II族金属，在一些实施例中例如Mg、Sr、Ba或Ca。在一些实施例中，提供包含沉积循环的原子层沉积方法，所述沉积循环包含第一子循环和第二子循环，在所述第一子循环中衬底与沉积增强前体和氧或氮反应物接触，在所述第二子循环中所述衬底与金属或硅前体和氧或氮反应物接触。在一些实施例中，所述方法有利地实现改进的薄膜形成，例如提高的沉积速率。由于沉积速率提高，可能需要更少沉积循环来获得所期望的膜。