[发明专利]霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统有效
| 申请号： | 202010085736.9 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN111508809B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·S·考克斯;王荣平;布赖恩·韦斯特;罗杰·M·约翰逊;科林·约翰·迪金森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J27/08;H05H1/46;H01L21/02;C23C16/54;H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/44;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容涉及霍尔效应增强电容耦合等离子体源、消除系统及真空处理系统。本文中公开的实施方式包括消除系统，所述消除系统用于消除在半导体工艺中产生的化合物。消除系统包括等离子体源，所述等离子体源具有第一板件及平行于第一板件的第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，所述外壁围绕所述电极。等离子体源具有安置于第一板件上的第一多个磁体，及安置于第二板件上的第二多个磁体。由第一多个磁体及第二多个磁体产生的磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生的电场。在此配置中，产生密集等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔 效应 增强 电容 耦合 等离子体 消除 系统 真空 处理 | ||
【主权项】：
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