[发明专利]IGBT器件在审
| 申请号： | 202010083995.8 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113257905A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 周翔;曾大杰;肖胜安 | 申请（专利权）人： | 南通尚阳通集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L27/082;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT器件，由多个形成原胞并联而成，各原胞都形成在晶圆上的有源区中，各原胞的栅极结构采用沟槽栅，沟槽栅包括形成于栅极沟槽内侧表面的栅介质层和填充于栅极沟槽中的多晶硅栅；多晶硅栅完全填充栅极沟槽时会对晶圆产生对应的第一应力；在俯视面上，有源区分成两个以上的区域块，各区域块中的栅极沟槽呈条形结构且平行排列，相邻两个区域块中的栅极沟槽的条形结构不平行而具有夹角，使相邻两个区域块中的多晶硅栅对晶圆的第一应力的方向不同而使晶圆所受到的各多晶硅栅产生的合应力减少或消失。本发明能提高同一片晶圆上IGBT器件参数的均一性，并从而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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