[发明专利]具有非均匀沟槽氧化物的分裂栅半导体在审
| 申请号： | 202010076188.3 | 申请日： | 2020-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111509046A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | M·艾曼·谢比卜;M·阿藏;C·帕克;K·特里尔 | 申请（专利权）人： | 硅尼克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有非均匀沟槽氧化物的分裂栅半导体。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括多个平行沟槽。每个这样的沟槽包括耦连到MOSFET的栅极端的第一电极和与第一电极物理隔离且电隔离的第二电极。第二电极位于沟槽中第一电极的下方。第二电极包括位于MOSFET主表面以下的不同深度处的至少两个不同宽度。沟槽可以形成在外延层中。外延层相对于MOSFET的主表面以下的深度可以具有非均匀的掺杂分布。第二电极可以电耦连到MOSFET的源极端。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 均匀 沟槽 氧化物 分裂 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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