[发明专利]在增强模式下操作的HEMT功率器件及其制造方法在审
申请号: | 202010075297.3 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN111490043A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | D·G·帕蒂 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/778;H01L21/8258 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;李兴斌 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的实施例涉及在增强模式下操作的HEMT功率器件及其制造方法。功率器件由彼此级联的D模式HEMT和MOSFET形成,并且被集成在具有基底主体和基底主体上的异质结构层的芯片中。D模式HEMT包括形成在异质结构层中的沟道区域;MOSFET包括形成在基底主体中的第一和第二导电区域,并且包括形成在异质结构层中的绝缘栅极区域,该绝缘栅极区域沿着横向方向与D模式HEMT电绝缘。第一金属区域延伸穿过异质结构层,在沟道区域的侧面并且与沟道区域和第一导电区域电接触。 | ||
搜索关键词: | 增强 模式 操作 hemt 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010075297.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:轮内马达的制动装置和具有该制动装置的轮内马达
- 下一篇:母线的电力连接器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的