[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成多层图形化掩膜层；多层图形化掩膜层包括上下叠置的第一图形化掩膜层及第二图形化掩膜层，第一图形化掩膜层与第二图形化掩膜层具有不同的热膨胀系数。上述实施例中的半导体结构的制备方法通过制备包括不同热膨胀系数的图形化掩膜层的多层图形化掩膜层，利用各层图形化掩膜层热膨胀系数的不同，可以逐渐缓解整个多层图形化掩膜层与在其上外延的氮化镓层的热膨胀系数差异，使得在降温剥离氮化镓层的过程中，氮化镓层受到的弯曲应力较小，氮化镓层不会因受到的弯曲应力太大而造成裂片，使得氮化镓层可以整片剥离，具有较高的良率。