[发明专利]一种柔性横向肖特基整流二极管、制备方法及系统有效
| 申请号： | 202010054657.1 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111446302B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李学飞;童安泽;吴燕庆 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L21/78 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性横向肖特基整流二极管、制备方法及系统，属于半导体器件技术领域，所述方法包括：在刚性衬底上生长二维过渡金属硫化物材料；控制二维过渡金属硫化物材料的生长过程的温度，使生长过程结束后，产生包含金属相和半导体相的二维材料；将二维材料转移至柔性衬底上；分别在所述二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，得到横向的肖特基整流二极管。本发明通过使同种二维过渡金属硫化物材料之间形成半导体相与金属相的横向异质结，并分别在二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，使得生成的横向肖特基整流二极管具有非常小的寄生电容，截止频率高，能够在高频下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 横向 肖特基 整流二极管 制备 方法 系统 | ||
【主权项】：
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