[发明专利]一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010042610.3 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111106164A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中合博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/267;H01L29/36;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 重庆信航知识产权代理有限公司 50218 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆市合川区*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构，包括N型轻掺杂半绝缘单晶硅衬底，N型轻掺杂半绝缘单晶硅衬底表面形成有埋氧层，埋氧层表面从左至右形成有厚度相同而宽度不同的发射区、基区和集电区，发射区和集电区里从下至上淀积有SiON氧化层和N型掺杂AlGaN层，基区里生长有掺杂浓度从左至右由大到小渐变的P型重掺杂Si层，发射区、基区和集电区表面用金属硅化物对应生长有发射极、基极和集电极的电极引出层，相邻电极区域之间通过隔离氧化层绝缘隔离。本申请还提供一种前述器件结构制备方法。本申请能提高AlGaN层的界面特性和基区电子迁移率，减小基区渡越时间，提高器件频率使频率特性更加优良，同时金属硅化物层还能提高器件开关速度和截止频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 npn 横向 soi algan si hbt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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