[发明专利]具有厚金属层的半导体发光器件在审
| 申请号： | 202010032796.4 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111509116A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | S.施亚夫菲诺;A.H.尼克伊尔;J.勒 | 申请（专利权）人： | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 江鹏飞;陈岚 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的实施例的器件包括半导体结构，该半导体结构包括：发光层，该发光层夹在n型区和p型区之间，以及第一金属接触和第二金属接触，其中，该第一金属接触与n型区直接接触，并且该第二金属接触与p型区直接接触。第一金属层和第二金属层分别布置在第一金属接触和第二金属接触上。第一金属层和第二金属层充分厚以机械地支撑半导体结构。第一金属层和第二金属层之一的侧壁包括三维特征。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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