[发明专利]处理方法和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202010025834.3 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111435635A | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 及川翔;横山政司;冈野太一;河崎俊一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止在向外周构件施加了电压时针对被处理体的工艺特性下降的处理方法和等离子体处理装置。在所述处理方法中，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：从所述第一电源向所述外周构件施加电压；参照存储有向外周构件施加的电压与工艺参数的校正值之间的相关信息的存储部，基于施加于所述外周构件的电压来校正工艺参数；以及按照包括校正后的所述工艺参数的工艺条件来执行等离子体处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
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