[发明专利]一种集成电路铜互连结构的制作方法在审
| 申请号： | 202010025418.3 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111211094A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 向彦瑾 | 申请（专利权）人： | 四川豪威尔信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C25D7/12;C25D3/38 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黄冠华 |
| 地址： | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路铜互连结构的制作方法，具体包括以下步骤：S1、首先提供半导体基体，在半导体基体的表面形成介质层，然后在半导体基体上进行布线，在介质层表面光刻出通孔和沟槽，再通过溅射法制备扩散阻挡层和种籽层，本发明涉及集成电路技术领域。该集成电路铜互连结构的制作方法，通过再通过溅射法制备扩散阻挡层和种籽层，采用溅射方法制备种籽层，使得铜原子不易淀积到边墙，改善溅射过程的填充能力，通过电镀液由硫酸铜、硫酸、水、加速剂、抑制剂和平坦剂组成，在进行铜互连结构的电镀时，加速剂、抑制剂和平坦剂的设置，使得沟槽填充更加均匀，加快了电镀反应，降低了铜表面的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 互连 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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