[发明专利]一种4H-SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 202010023544.5 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111524970A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王颖;毛鸿凯;曹菲;于成浩 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑电压阻挡层、N‑型缓冲层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+集电极区、沟槽栅极以及栅极氧化层等；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极将P+集电区深入到了N‑型的电压阻挡层，同时也引入了间隔分布的p‑poly/p‑SiC异质结。由于新结构中将P+集电区深入到了N‑型电压阻挡层的内部，所以器件正常工作时其可以进行正常的空穴注入，从而改善正向特性；同时由于集电极区域引入了异质结，其为N‑电压阻挡层中载流子的泄放提供了额外的低阻通路，所以器件关断时电子的泄放速度明显加快，进而减小了拖尾电流，降低了关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 沟槽 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学，未经杭州电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010023544.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三七皂苷Fc治疗脑梗的用途
- 下一篇：一种线杆绝缘套及绝缘线杆组件
- 同类专利
- 专利分类
