[发明专利]阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 202010018793.5 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111106063A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 雍玮娜 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G03F1/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 刁文魁 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法，阵列基板的制作方法通过采用多段式掩膜板对位于源漏极金属层上的光刻胶层进行曝光显影，以使对应显示区的第一薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度等于对应GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度，从而经过灰化处理后完全去除光刻胶层，使得后续第一薄膜晶体管沟道区域和第二薄膜晶体管沟道区域能够刻蚀完全，避免第一薄膜晶体管的源漏极、以及第二薄膜晶体管源漏极之间出现短路情况发生，从而弥补因显示区和GOA区薄膜晶体管密度差异等原因造成的显影液作用效率不同的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
