[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，阵列基板的制作方法通过采用多段式掩膜板对位于源漏极金属层上的光刻胶层进行曝光显影，以使对应显示区的第一薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度等于对应GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域的剩余光刻胶层的厚度，从而经过灰化处理后完全去除光刻胶层，使得后续第一薄膜晶体管沟道区域和第二薄膜晶体管沟道区域能够刻蚀完全，避免第一薄膜晶体管的源漏极、以及第二薄膜晶体管源漏极之间出现短路情况发生，从而弥补因显示区和GOA区薄膜晶体管密度差异等原因造成的显影液作用效率不同的缺陷。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的发展趋势为超窄边框、超低成本以及提升良率，为了实现这样的目的，引入阵列基板行驱动技术(Gate driver On Array，GOA)技术，即直接将栅极驱动电路制作在阵列基板上，来代替外接驱动芯片。

在GOA产品中，除了在阵列基板显示区设置有薄膜晶体管以外，位于阵列基板外围GOA区也存在大量的薄膜晶体管，即阵列基板存在至少两种类型的薄膜晶体管。而在实际的生产过程中，由于显示区和GOA区的薄膜晶体管密度的差异，导致显影液的作用速率存在差异，具体表现为，显示区所占面积大，薄膜晶体管密度小，显影速率则较快；而GOA区所占面积小，薄膜晶体管密度较大，显影速率则较慢，从而使得阵列基板在曝光显影后，显示区和GOA区残留的光刻胶具有厚度段差，可能造成GOA区薄膜晶体管沟道区域未刻蚀完全以至于源极和漏极发生短路，而显示区薄膜晶体管沟道区域也无法达到期望的设计长度。

综上所述，需要提供一种新的阵列基板及其制作方法来解决上述技术问题。

发明内容

本发明提供的阵列基板及其制作方法，解决了现有的阵列基板由于位于显示区和GOA区的薄膜晶体管的密度不同，导致显影液在显示区和GOA区作用速率不同，进而导致GOA区薄膜晶体管沟道区域未刻蚀完全，而引起源极和漏极短路的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

S10：提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和GOA区，在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层以及源漏极金属层；

S20：在所述源漏极金属层上形成光刻胶层；

S30：采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，以使对应所述显示区的第一薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度等于对应所述GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度；

S40：对剩余所述光刻胶层进行灰化处理，完全去除对应位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管沟道区域和对应位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管沟道区域的所述光刻胶层；以及

S50：对对应所述显示区和所述GOA区域的所述源漏极金属层进行刻蚀处理，以在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管的源漏极和沟道区域，在所述GOA区形成所述第二薄膜晶体管的源漏极和沟道区域。

根据本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管的密度小于位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管的密度。

根据本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，所述光刻胶层为正性光刻胶层，所述掩膜板对应所述GOA区的透光率小于所述掩膜板对应所述显示区的透光率。

根据本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，所述掩膜板对应所述显示区的透光率为所述掩膜板对应所述GOA区的透光率的20％～60％。