[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10：提供衬底基板，所述衬底基板包括显示区和GOA区，在所述衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层以及源漏极金属层；

S20：在所述源漏极金属层上形成光刻胶层；

S30：采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光显影，以使对应所述显示区的第一薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度等于对应所述GOA区的第二薄膜晶体管沟道区域剩余所述光刻胶层的厚度；

S40：对剩余所述光刻胶层进行灰化处理，完全去除对应位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管沟道区域和对应位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管沟道区域的所述光刻胶层；以及

S50：对对应所述显示区和所述GOA区域的所述源漏极金属层进行刻蚀处理，以在所述显示区形成所述第一薄膜晶体管的源漏极和沟道区域，在所述GOA区形成所述第二薄膜晶体管的源漏极和沟道区域。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管的密度小于位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管的密度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层为正性光刻胶层，所述掩膜板对应所述GOA区的透光率小于所述掩膜板对应所述显示区的透光率。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板对应所述显示区的透光率为所述掩膜板对应所述GOA区的透光率的20％～60％。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板对应所述显示区的厚度大于所述掩膜板对应所述GOA区的厚度。

6.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管沟道区域的长度等于所述第二薄膜晶体管沟道区域的长度，每相邻两个所述第一薄膜晶体管之间的距离大于每相邻两个所述第二薄膜晶体管之间的距离。

7.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管沟道区域的长度大于所述第二薄膜晶体管沟道区域的长度，每相邻两个所述第一薄膜晶体管之间的距离等于每相邻两个所述第二薄膜晶体管之间的距离。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述掩膜板为半色调掩膜板或灰阶掩膜板或两者的组合。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板，包括显示区和GOA区；

第一薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上的所述显示区，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、所述栅绝缘层、所述有源层以及位于所述有源层上的源漏极和沟道区域；以及

第二薄膜晶体管，设置于所述衬底基板上的所述GOA区，所述第二薄膜晶体管包括位于第二栅极、所述栅绝缘层、所述有源层以及位于所述有源层上的源漏极和沟道区域；

其中，所述第一薄膜晶体管沟道区域在垂直于所述衬底基板上表面的方向的深度与所述第二薄膜晶体管沟道区域在垂直于所述衬底基板上表面的方向的深度相等。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，位于所述显示区的所述第一薄膜晶体管的密度小于位于所述GOA区的所述第二薄膜晶体管的密度。