[发明专利]一种基于固态离子导体的场效应器件有效
| 申请号： | 202010015202.9 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111211164B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 周璋;鲍丽宏;高鸿钧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种基于固态离子导体的场效应器件。根据一实施例，基于固态离子导体的场效应器件包括：目标材料、源/漏电极、固态离子导体、栅压电极；其中，所述目标材料形成于所述固态离子导体之上，所述源/漏电极位于所述目标材料的两侧，所述栅压电极位于所述固态离子导体表面。本申请实施例的场效应器件，相较于传统的利用氧化物介电层的场效应器件对载流子浓度调控能力有较大的提升，场效应调控能力上限更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 固态 离子 导体 场效应 器件 | ||
【主权项】：
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