[发明专利]半导体激光器和半导体激光器的制造方法在审

专利信息
申请号: 201980076702.9 申请日: 2019-11-11
公开(公告)号: CN113056850A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 彼得·扬德 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
主分类号: H01S5/0225 分类号: H01S5/0225
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 徐丽华
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在实施方式中半导体激光器(1)包括壳体(2),其中封装有多个激光二极管芯片(31、32、33)。壳体(2)包括盖板(23)和/或侧壁(20),盖板和/或侧壁对于产生的激光辐射(41、42、43)是能穿过的。盖板(23)和/或侧壁(20)具有带有彼此并排布置的出射区域(61、62、63)的光出射面(24)。每个出射区域(61、62、63)关联激光二极管芯片(31、32、33)中的恰好一个。光出射平面(26)布置在光出射面(24)下游。盖板(23)和/或侧壁(20)在出射区域(61、62、63)中具有不同的平均厚度,使得所有激光二极管芯片(31、32、33)的激光辐射到光出射平面(26)的光学路径长度都是相等的且具有最高为1.5的公差。
搜索关键词: 半导体激光器 制造 方法
【主权项】:
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