[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序

摘要

本发明提供在基板上形成薄膜时，适应于基板的表面积、电气特性而控制薄膜的面内膜厚分布的技术。具有：对于处理室内的基板供给原料气体和非活性气体的第一工序，在停止供给原料气体的状态下对基板供给非活性气体，将处理室内残留的原料气体除去的第二工序，对基板供给反应气体和非活性气体的第三工序，在停止供给反应气体的状态下对基板供给非活性气体，将处理室内残留的反应气体除去的第四工序；并且，在第四工序中具有非活性气体的流量比在第三工序中供给的非活性气体的流量少的时刻点。