[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201922449052.8 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN211404506U | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | U·博提格 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01J11/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张玮;王琳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了半导体器件，其可包括单光子雪崩二极管像素阵列。单光子雪崩二极管SPAD像素可能能够检测单个光子。为了改善动态范围，可将光衰减层结合到半导体器件中。光衰减层可根据已知比率选择性地衰减通过以选择SPAD像素的入射光。系统中的处理电路可确定对于由接收衰减光的SPAD像素检测到的每一个光子，实际上根据该比率接收更多入射光子。这样，可准确地检测到高光子通量。由具有低衰减的光衰减元件覆盖的SPAD像素可对低入射光水平敏感。由具有高衰减的光衰减元件覆盖的SPAD像素可对高入射光水平敏感。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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