[实用新型]一种降低能耗的肖特基二极管芯片有效
| 申请号： | 201920980336.7 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN210575961U | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 燕云峰 | 申请（专利权）人： | 东莞市纽航电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 44231 | 代理人： | 成伟 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种降低能耗的肖特基二极管芯片，涉及一种半导体器件，包括硅片衬底，硅片衬底的底部设有镀硼层，硅片衬底顶部设有镀磷层，硅片表面设有掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，在半导体硅片N+衬底上设置有N‑外延层；在N‑外延层上刻蚀形成硅沟槽，在硅沟槽内通过高温氧化与扩散方式将杂质硼扩散至一定深度形成P+有源区，在P+有源区表面通过高温氧化形成一定厚度的氧化层。本实用新型通过切割加腐蚀的方式在芯片上划出V型槽，增加了芯片的有效接触面积，降低了二极管的功率，从而降低了芯片的能耗，更加节能环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 能耗 肖特基 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
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