[发明专利]一种功率半导体模块低电感封装结构及封装方法在审
申请号: | 201911355472.8 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN113035847A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 刘国友;李道会;齐放;李想;王彦刚;罗海辉 | 申请(专利权)人: | 株洲中车时代半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/48 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;何娇 |
地址: | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及功率半导体模块技术领域,提出一种功率半导体模块低电感封装结构,包括基板和设置在所述基板上的功率半导体模块单元,所述功率半导体模块单元用于形成可降低电感的双开关电路结构,所述功率半导体模块单元包括间隔设置在所述基板上的多个衬板,相邻所述衬板之间通过第一键合线连接,相连的两所述衬板上连接有延伸出外管壳的功率端子组,所述功率端子组包括两个部分重叠设置但互不接触的子功率端子,用于使两个所述子功率端子导通不同方向电流时产生电磁耦合以降低电感;还提出一种功率半导体模块低电感封装方法,其用于制造本发明提出的功率半导体模块低电感封装结构。本发明具有高可靠性、高功率密度和低电感的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体 模块 电感 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代半导体有限公司,未经株洲中车时代半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911355472.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类