[发明专利]电感元件的制造方法与其结构有效
| 申请号： | 200410005041.6 | 申请日： | 2004-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1658370A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 洪建州;曾华洲;许村来;范政文;秦嘉鸿;林俊仪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/82;H01L27/01;H01F41/00;H01F17/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李宗明;杨梧 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电感元件的制造方法其结构，该电感元件架构于衬底上，该衬底上已配置有平坦化的介电层。该电感元件结构包括第一电感图形、第二电感图形与第三电感图形，其中第一电感图形配置于介电层上。另外，第二电感图形配置于第一电感图形上，且第二电感图形与第一电感图形电连接。此外，第三电感图形配置于第二电感图形上，且第三电感图形是与第二电感图形电连接，其中第一电感图形、第二电感图形与第三电感图形具有相似的图形。由于此电感元件借助多层电感图形增加其厚度，所以可以降低电感元件的阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 元件 制造 方法 与其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电感元件的制造方法，该电感元件架构于一衬底上，该衬底上至少形成有一第一介电层，该方法包括：在该第一介电层中同时形成图形化的一第一金属层与一第一电感图形；在该第一介电层上形成图形化的一第二介电层，以覆盖该第一金属层、该第一电感图形与该第一介电层，且该第二介电层具有多数个第一开口与多数个第二开口，其中这些第一开口暴露出该第一金属层，且这些第二开口暴露出该第一电感图形；在这些第一开口与这些第二开口中填入一金属，以同时于这些第一开口中形成一第二金属层，且于这些第二开口中形成一第二电感图形，其中该第二金属层与该第一金属层电连接，且该第二电感图形与该第一电感图形电连接；以及在该第二金属层上形成图形化的一第三金属层，并且同时于该第二电感图形上形成一第三电感图形，其中该第三金属层与该第二金属层电连接，且该第三电感图形与该第二电感图形电连接。其中第一电感图形、第二电感图形与第三电感图形具有相似的图形。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
