[发明专利]一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法及器件在审
| 申请号： | 201911026117.6 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110739207A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;李百泉;冯春;肖红领;姜丽娟;李天运;邱爱芹;介芳 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法，本发明在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法采用高温离子注入的方法，在导电SiC衬底的表面注入V杂质，注入深度在100‑200μm范围内，接着采用金属有机物气相沉积法，在SiC衬底表面沉积高温AlN层和GaN层。采用此方法可以提高导电SiC衬底表面处的电阻率，降低器件的漏电，同时克服了半绝缘SiC衬底成本高昂的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 衬底 衬底表面处 金属有机物 气相沉积法 高温AlN层 漏电 衬底表面 高温离子 降低器件 生长 半绝缘 电阻率 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n选择导电SiC作为衬底；/n在所述衬底的表面，通过离子注入的方法，注入杂质，杂质为V元素，注入厚度为0μm-100μm；/n在衬底上生长一层成核层；/n在成核层上生长缓冲层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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