[发明专利]在源极接触沟槽中具有集成的伪肖特基二极管的功率MOSFET

摘要

本申请涉及在源极接触沟槽中具有集成的伪肖特基二极管的功率MOSFET。本实施例提供了一种半导体器件的区域，其包括在半导体衬底中被配置为沟槽MOSFET的多个功率晶体管单元。至少一个有源功率晶体管单元还包括沟槽源极区域，其中沟槽源极接触的沟槽底表面被覆盖有绝缘层和在绝缘层顶部上的导电材料层，以用作有源功率晶体管单元中的集成的伪肖特基势垒二极管。

主权项

1.一种绝缘栅极半导体器件，包括：/n半导体材料区域，包括：/n半导体衬底；/n在所述衬底上的第一导电类型的第一半导体层；/n在所述衬底上生长的所述第一导电类型的外延层；/n形成在所述外延层中的第二导电类型的体区域；/n具有主表面的在所述外延层上的所述第一导电类型的第二半导体层；和/n安置在所述第二半导体层上或所述外延层上的多个TMOS单元和多个伪肖特基(P-Sch)单元，彼此相邻并邻接，使得所述多个P-Sch单元中的每个P-Sch单元被夹在所述多个TMOS单元中的任意两个TMOS单元之间，/n其中，所述多个TMOS单元中的每个TMOS单元被配置为在所述体区域中形成欧姆接触，以及/n其中，所述多个P-Sch单元中的每个P-Sch单元被配置为与所述体区域形成伪肖特基势垒二极管。/n