[发明专利]用于FINFET架构的用固态扩散源掺杂的隔离阱有效
| 申请号： | 201910317200.2 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110047933B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | W·M·哈菲兹;C-H·简;J-Y·D·叶;张旭佑;N·迪亚斯;C·穆纳辛哈 | 申请（专利权）人： | 太浩研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/225;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于FINFET架构的用固态扩散源掺杂的隔离阱。沿非平面半导体鳍状物结构的一部分形成杂质源膜。杂质源膜可以用作杂质来源，杂质在从源膜扩散到所述半导体鳍状物中之后变得具有电活性。在一个实施例中，杂质源膜被设置为与设置在鳍状物的有源区与衬底之间的子鳍状物区的一部分的侧壁表面相邻，并且比有源区更接近衬底。在其它实施例中，杂质源膜可以提供掺杂剂的源，掺杂剂使子鳍状物区相对于衬底的区域被互补掺杂，以形成P/N结，所述P/N结是将有源鳍状物区与衬底的区域电隔离的隔离结构的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 架构 固态 扩散 掺杂 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：设置在衬底上方的第一晶体管，所述第一晶体管进一步包括：第一半导体鳍状物，所述第一半导体鳍状物从所述衬底延伸，所述第一鳍状物具有设置在第一有源区与所述衬底之间的第一子鳍状物区；第一栅极叠置体，所述第一栅极叠置体被设置为与所述第一有源区的侧壁表面相邻，其中，所述第一栅极叠置体包括栅极电介质和栅极电极；以及第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极至少由所述第一栅极叠置体彼此分隔开，并且耦合到所述有源区的相对端；第一杂质源膜，所述第一杂质源膜被设置为与所述第一子鳍状物区的侧壁表面相邻，其中，所述第一杂质源膜包括第一杂质，所述第一杂质还存在于所述第一子鳍状物区内并且与第一导电类型相关联；以及隔离电介质材料，所述隔离电介质材料设置在所述第一杂质源膜上方，并且将所述第一子鳍状物区与第二半导体鳍状物的子鳍状物区分隔开。
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