[发明专利]具有电荷补偿层和低阻通道的VDMOS及其制作方法有效
| 申请号： | 201910305038.2 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110047932B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;王彦东;杨鑫;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种具有电荷补偿层和低阻通道的VDMOS及其制作方法，该器件设置N+电流通道，纵向贯穿N型外延层的对称中心，上、下两端分别与栅氧化层、N+型衬底相接；并在N型外延层内部、两处P型基区的下方区域分别设置有相同半导体材料的P型电荷补偿层。器件导通时，重掺杂形成的N+电流通道改变了传统器件中的电流传输路径，而且电流分布几乎不受电荷补偿层的影响，这样大幅降低了器件的导通电阻。器件关断时，P型电荷补偿层辅助耗尽N+电流通道，同时产生的新电场峰优化了器件的纵向电场。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷 补偿 通道 vdmos 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.具有电荷补偿层和低阻通道的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)，包括：半导体材料的N+型衬底(10)，兼作漏区；在所述N+型衬底(10)上表面形成的N型外延层(9)；在N型外延层(9)上部分别形成左、右两处P型基区(7)；在每一处P型基区(7)中形成相应的沟道以及N+型源区(5)和P+沟道衬底接触(6)，其中N+型源区(5)与沟道邻接，P+沟道衬底接触(6)相对于N+型源区(5)位于沟道远端；栅氧化层(2)，位于N型外延层(9)上表面的中间区域，覆盖两处沟道；栅极(3)，位于栅氧化层(2)上表面；源极(1)，覆盖于P+沟道衬底接触(6)与N+型源区(5)相接区域的上表面；两处源极共接；漏极(11)，位于N+型衬底(10)下表面；其特征在于，还包括：N+电流通道(12)，纵向贯穿N型外延层(9)的对称中心，上、下两端分别与栅氧化层(2)、N+型衬底(10)相接；在N型外延层(9)内部、两处P型基区(7)的下方区域分别设置有相同半导体材料的P型电荷补偿层(8)；所述N型外延层(9)和P型电荷补偿层(8)的厚度和掺杂浓度由器件的耐压要求决定；所述N+电流通道(12)的宽度和掺杂浓度由器件的耐压和导通电阻要求决定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910305038.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
