[发明专利]卷绕式离子增强型磁控光学氧化硅镀膜装置及方法有效
申请号: | 201910292302.3 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110004425B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 朱建明 | 申请(专利权)人: | 肇庆市科润真空设备有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/35;C23C14/10 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 谢静娜 |
地址: | 526060 广东省肇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种卷绕式离子增强型磁控光学镀膜装置及方法,其装置包括旋转辊和至少一个镀膜室,沿基材输送方向,镀膜室后方设有氧化室和磁铁组件,氧化室和磁铁组件相对设于旋转辊的两侧;氧化室内设有进气管,进气管与旋转辊之间连接有电池。其方法是基材先经过镀膜室,在纯硅靶的作用下镀上氧化硅膜层;然后再经过氧化室,氧化室中的氧气分子和氩气分子在电场和磁场的作用下产生大量氧离子,且氧离子在电场的作用下高速射向氧化硅膜层内部,对氧化硅膜层中夹杂的纯硅进行氧化。本发明是在基材镀完氧化硅后,通过增加氧离子密度来加强膜层的氧化效果,从而提高膜层中氧化硅的纯度和膜层透明度,进而提高膜层的光学性能。 | ||
搜索关键词: | 卷绕 离子 增强 型磁控 光学 氧化 镀膜 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种卷绕式离子增强型磁控光学镀膜装置,包括旋转辊和至少一个设于旋转辊外侧的镀膜室,其特征在于,沿基材的输送方向,镀膜室的后方还设有氧化室和磁铁组件,氧化室和磁铁组件相对设于旋转辊的两侧,氧化室和镀膜室相接且并列设于旋转辊的外侧,磁铁组件设于旋转辊内侧;氧化室内设有进气管,进气管与旋转辊之间连接有电池。
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