[发明专利]磁性随机存储器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201910284667.1 申请日: 2019-04-10
公开(公告)号: CN111816673A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 平尔萱;朱一明 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;董琳
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种磁性随机存储器及其形成方法,所述磁性随机存储器包括:基底,所述基底表面形成有导电接触垫;位于所述基底表面的磁性存储层,所述磁性存储层包括位于基底表面堆叠的至少两层子存储层,所述磁性存储层内包括垂直贯穿各子存储层的多个与所述导电接触垫连接的磁性存储单元,所述磁性存储单元包括磁性隧道结,每一子存储层内包括至少一个磁性隧道结;所述基底内形成有多个存取晶体管,与所述磁性存储单元一一对应,所述存取晶体管的栅极位于所述基底内,所述存取晶体管的源极和漏极分别位于所述栅极两侧且底部高于所述栅极顶部,所述存取晶体管的漏极连接至所述导电接触垫。上述磁性随机存储器具有较高的性能。
搜索关键词: 磁性 随机 存储器 及其 形成 方法
【主权项】:
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