[发明专利]一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910254959.0 | 申请日： | 2019-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN109873031A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李筱婵 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/47;H01L23/373;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯辅助GaN整流器及其制备方法。该制备方法中包含在制备初级电极的外延片上转移石墨烯，在转移了石墨烯的外延片上进行光刻显影，在光刻显影后的外延片上蒸镀金属层，在蒸镀完金属层的外延片上去胶，在去胶后的外延片上去除多余石墨烯，去除多余石墨烯的外延片上肖特基电极部分蒸镀肖特基金属，在蒸镀肖特基金属的外延片上沉积图形化钝化层并在图形化钝化层上沉积顶金属层。所获得的石墨烯辅助GaN整流器可降低GaN整流器高频工作热击穿发生频率并有效增强GaN整流器电极电流扩展能力，并且该石墨烯引入方法可广泛用于多种以AlGaN/GaN异质结为结构基础的GaN整流器结构或III族氮化物功率器件制备中。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 外延片 整流器 制备 蒸镀 光刻显影 钝化层 图形化 肖特基 沉积 金属 肖特基电极 蒸镀金属层 整流器结构 初级电极 电极电流 顶金属层 发生频率 功率器件 结构基础 扩展能力 金属层 热击穿 去胶 异质 去除 引入 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯辅助GaN整流器，其特征在于，包括外延片（1），分别设置在外延片（1）上表面两侧且不互联的初级肖特基电极（2）和初级欧姆电极（3），设置在初级肖特基电极（2）和初级欧姆电极（3）上方的石墨烯层（4），设置在石墨烯层（4）上的金属层（5），设置在肖特基电极部分金属层（5）上的肖特基金属层（6），设置在欧姆电极石墨烯层上金属层同肖特基电极部分肖特基金属层上方的图形化钝化层（7），设置在图形钝化层（7）开口处即肖特基电极部分肖特基金属层（6）与欧姆电极部分金属层（5）上方的顶电极层（8）；所述肖特基金属层（6）将初级肖特基电极（2）、初级肖特基电极上方的石墨烯层（4）和金属层（5）裸露在空气处所有区域包裹在内。
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