[发明专利]防静电光罩在审

申请号：	201910192893.7	申请日：	2019-03-14
公开（公告）号：	CN111694213A	公开（公告）日：	2020-09-22
发明（设计）人：	林宗玮;廖俊谚;吴俊昇;方祯祥;许宗正	申请（专利权）人：	华邦电子股份有限公司
主分类号：	G03F1/40	分类号：	G03F1/40
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司 11127	代理人：	王天尧;任默闻
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：	本发明关于一种防静电光罩，包括基板、以及形成在基板上的图案化罩幕层。图案化罩幕层包括导电带及导电条，导电带包括一端部，导电条包括独立端部，其中导电带的端部与导电条连接，可避免因主要图形端点上的静电荷累积所导致对应图案炸裂的问题。
搜索关键词：	静电
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摘要：本发明提供一种光罩及半导体晶圆的制造方法，光罩包括：光罩基板，光罩基板包括图案区域和环绕图案区域的静电保护环区域，光罩基板位于图案区域的表面设置有不透光掩膜层，不透光掩膜层定义出电路图案；通过在光罩基板位于静电保护环区域的表面设置遮光层，或者光罩基板上设置保护膜框架，保护膜框架不透光且保护膜框架在光罩基板上的投影覆盖静电保护环区域。使用本发明的光罩，在半导体晶圆(例如CMOS图像传感器晶圆)的制造过程中，即使光在光刻机内部发生反射，反射光经过静电保护环区域时，会被静电保护环区域覆盖的遮光层或者保护膜框架阻挡(阻断)，反射光不会再到达晶圆，从而避免形成鬼影。

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摘要：本公开提供一种提供了掩模、掩模容器和掩模上累积的静电荷的放电方法。掩模包括遮罩基板、反射多层结构、覆盖层、吸收结构和导电材料结构。遮罩基板具有前侧表面和后侧表面。反射多层结构位于遮罩基板的前侧表面上方。覆盖层位于反射多层结构上方。吸收结构位于覆盖层上方。导电材料结构位于遮罩基板的侧壁表面和吸收结构的侧壁表面上方。

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摘要：本申请提供一种掩膜板，包括衬底和位于衬底表面的掩膜板本体，掩膜板本体包括图案部分和静电保护结构，所述图案部分用于在晶圆上形成图形，也即曝光形成芯片的区域，而静电保护结构围绕图案部分设置，静电保护结构不仅包括围绕图案部分的封闭结构，还包括相对于封闭结构凸出的多个尖端凸起。由于在静电保护结构的封闭结构上设置了多个尖端凸起，基于尖端放电原理，在封闭结构上设置多个尖端凸起，能够提高封闭结构的放电能力，从而对位于封闭结构内部的图案部分进行保护，避免因静电释放，造成形成芯片部分的图案部分被损坏，而使得晶圆上铺出的图形受到影响，进而导致晶圆良率下降的问题。

一种防静电光罩-201611061548.2
发明人：郭伟;吴静銮;卢盈;胡媛;张良;陈雪银 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明提供一种防静电光罩，包括：透明基板；光罩图形，设置在所述透明基板上；导电遮光层，设置在所述光罩图形外围的所述透明基板上，并与所述光罩图形间隔设置；放电结构，设置在所述导电遮光层上。本发明的防静电光罩在光罩图形外围的导电遮光层上设置放电结构，可以引导光罩图形之外的大面积连续导电遮光层上累积的大量静电荷，在远离光罩图形区的位置进行放电，从而避免了以往静电荷直接在最外圈切割道上放电对附近电路图形的破坏作用，降低了晶圆获得低良品率的风险，提高了光罩的防静电破坏能力。

半色调掩膜板-202121389409.9
发明人：余雪;徐姗姗;李梁梁;邱文彪;林滨;付婉霞;席文星 -专利权人：福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本实用新型提供一种半色调掩膜板，所述半色调掩膜板包括金属遮光图形，所述金属遮光图形包括多个图形部，所述金属遮光图形还包括静电释放导线，至少一对相邻的图形部之间连接有所述静电释放导线，对于至少一对被所述静电释放导线电连接的图形部而言，至少其中一个图形部包括图形部本体和形成在所述图形部本体的边缘处的缺口，所述静电释放导线的端部伸入所述缺口中，并与所述图形部本体电连接。通过半色调掩膜板上的缺口结构，能够降低半色调掩膜板本身的ESD风险，且能改善曝光后显示基板金属图形上的毛刺影响，也降低了多层搭接场景由于毛刺引起的ESD风险。

半色调掩膜板、显示基板的制作方法及显示基板-202110692445.0
发明人：余雪;徐姗姗;李梁梁;邱文彪;林滨;付婉霞;席文星 -专利权人：福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明提供一种半色调掩膜板，所述半色调掩膜板包括金属遮光图形，所述金属遮光图形包括多个图形部，所述金属遮光图形还包括静电释放导线，至少一对相邻的图形部之间连接有所述静电释放导线，对于至少一对被所述静电释放导线电连接的图形部而言，至少其中一个图形部包括图形部本体和形成在所述图形部本体的边缘处的缺口，所述静电释放导线的端部伸入所述缺口中，并与所述图形部本体电连接。通过半色调掩膜板上的缺口结构，能够降低半色调掩膜板本身的ESD风险，且能改善曝光后显示基板金属图形上的毛刺影响，也降低了多层搭接场景由于毛刺引起的ESD风险。本发明还提供一种使用所述半色调掩膜板的显示基板的制作方法及一种由所述方法制得的显示基板。

光罩及曝光设备-201911092135.4
发明人：许航嘉;李启东;许建勇 -专利权人：南昌欧菲显示科技有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本申请公开了一种光罩及曝光设备。该光罩包括：相对设置的第一基板和第二基板。第一基板在背对第二基板的一侧设有第一图案层，第二基板在背对第一基板的一侧设有第二图案层，第一图案层和第二图案层用于使待光刻物形成光刻图案。本申请通过对光罩的第一图案层和第二图案层的结构调整，使得光罩的第一图案层和第二图案层不容易积累静电，以降低第一图案层和第二图案层被击穿的风险。

掩模版及其制备方法、光刻机-202011486091.6
发明人：郑海昌;吴隆武;王晓龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明提供了一种掩模版及其制备方法、光刻机。其中，所述掩模版包括衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层，所述吸收层和所述硬掩模层内均形成有环状开口以暴露部分所述衬底，所述开口内填充有绝缘吸光材料，以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。本发明提供的掩模版及其制备方法、光刻机通过在掩模版的防静电环状结构中填充绝缘的吸光材料，在防静电的同时吸收并隔绝到达所述防静电环状结构处的杂散光，以改善光刻机的漏光情况，同时减少半导体器件中不必要的特征尺寸差异，从而避免出现重影。

具有静电放电保护的光掩模-201980000184.2
发明人：姜鹏;穆钰平;方红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明提供了一种光掩模，所述光掩模包括衬底、所述衬底上的电路图案、所述衬底上的静电放电(ESD)环以及所述衬底上的ESD线。所述ESD结构围绕所述电路图案。所述ESD线在所述衬底的边缘和所述ESD结构之间延伸，其中，所述ESD线包括延伸超出所述ESD结构的边缘的末端的边缘部分，并且所述ESD线的边缘部分包括至少一个梳状结构。

光罩及曝光装置-202020623409.X
发明人：李艳强;许建勇 -专利权人：南昌欧菲显示科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本实用新型涉及一种光罩及曝光装置，光罩包括透明基板及光罩图案，光罩图案设于透明基板上，光罩图案包括图案部、无效部以及接地线；图案部的数量为多个，且相邻的所述图案部具有间隙；无效部设于所述图案部的外围，且与所述图案部间隔设置；无效部设有与外电路电连接的接线端，以便于静电导出；所述接地线将图案部和无效部电性连接，且位于相邻图案部间隙的接地线的宽度为0.2mm～0.4mm。本实用新型的光罩使用时可以将光罩上产生的电荷便可以从无效部导入大地，从而可以避免光罩上的图案被静电击伤；且产品不易残留干膜，得到的产品性能佳，该结构的光罩在电子电路及触控显示领域具有很好的前景。

光罩及曝光装置-202020174445.2
发明人：李艳强;王震;许建勇 -专利权人：南昌欧菲显示科技有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本实用新型涉及一种光罩及曝光装置，该光罩包括：基板，可以使光线穿过；光罩图案，设置在基板上，光罩图案包括图案部、边缘部以及引线；所述图案部和所述边缘部均不透光且均可以导电，所述图案部用于向被曝光物转印图案，所述边缘部与所述图案部间隔设置，所述边缘部具有接线端以便与外电路电连接；所述引线用于将所述图案部和所述边缘部电性连接在一起，且光线可以从所述引线与所述基板相接的一侧传播至所述引线远离所述基板的一侧。本实用新型提供的光罩中，光罩图案的图案部和边缘部均可以导电，且二者电性连接，使用时将边缘部的接线端接地，便可以将光罩上产生的电荷便可以从接线端导入大地，从而可以避免光罩上的图案被静电击伤。

掩模板防静电环和掩模板-202020152404.3
发明人：许喆 -专利权人：和舰芯片制造（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本实用新型涉及一种掩模板防静电环和掩模板；具体的该掩模板防静电环包括：环状本体，所述环状本体包围掩模板的透光区域，所述环状本体的宽度介于0.4毫米至1毫米之间；所述环状本体包括第一边、第二边、第三边和第四边；所述第一边和所述第二边平行且间隔设置，所述第三边和所述第四边平行且间隔设置，所述第一边和所述第二边均沿第一方向延伸，所述第三边和所述第四边均沿第二方向延伸，所述第一边、所述第二边、所述第三边和所述第四边的宽度均相同。上述掩模板防静电环通过改进环状本体的宽度，将环状本体的宽度调整至0.4毫米至1毫米之间，不仅能够有效的起到静电防护作用，还有效的避免了在曝光时在硅片上形成鬼影，保证了硅片进行光刻的成品率。

防静电光罩-201910192893.7
发明人：林宗玮;廖俊谚;吴俊昇;方祯祥;许宗正 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明关于一种防静电光罩，包括基板、以及形成在基板上的图案化罩幕层。图案化罩幕层包括导电带及导电条，导电带包括一端部，导电条包括独立端部，其中导电带的端部与导电条连接，可避免因主要图形端点上的静电荷累积所导致对应图案炸裂的问题。

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发明人：田舒韵;张礼冠;许建勇 -专利权人：南昌欧菲显示科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明涉及一种光罩、触控模组及其制备方法、电子设备，光罩包括阻光区、透光区以及部分透光区，其中：部分透光区突出于阻光区边缘，以允许部分紫外线透过，部分透光区包括第一部分透光区以及第二部分透光区，第一部分透光区位于阻光区的边缘，且第一部分透光区的紫外线透过率处处相等，第二部分透光区位于第一部分透光区远离阻光区的一侧，且具有渐变紫外线透过率，部分透光区使得曝光能量较小，仅有表层的干膜在干膜显影时被显影，第一部分透光区靠近阻光区，在显影液侵蚀下形成平滑的过渡，第二部分透光区远离阻光区，形成开口以便于进行后续蚀刻，并在蚀刻时形成过孔和平滑过渡的ITO线路，改善侧蚀及刻蚀过度的现象，提高视觉效果和产品良率。

一种防静电光罩-201921623220.4
发明人：姜维智;黄荣瑞;冯国豪 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本实用新型提供一种防静电光罩，所述光罩在光罩图形外侧设置有静电保护结构，所述静电保护结构包括多个间隔设置的放电结构，不仅可使光罩上积累的静电电荷在远离光罩图形处进行尖端放电，保证光罩图形完整性及晶圆良率；还可在其基础上有效减少光罩在制备静电保护结构时的复杂度及时间。同时每个放电结构均包括至少一个放电单元，每个放电单元包括实体放电部分和镂空部分，本实用新型提供了多种镂空部分的结构图形，对应不同的实体放电部分图形，并给出各图形数量、尺寸规格、排列组合方式以及各放电单元数量、组合连接方式的多种变化形式，使光罩可应对静电放电过程中产生的不同大小的静电电流，大大提升光罩的静电防护能力及其应用范围。

光刻掩膜板及其制作方法、光刻方法-201610329420.3
发明人：吕振华;陈希;王世君;包智颖;张勇;李月;肖文俊;薛艳娜;姜文博 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G03F1/40
摘要：提供了一种光刻掩膜板及其制作方法以及使用所述光刻掩膜板的光刻方法。光刻掩膜板包括衬底基板和布置在衬底基板的表面上的掩膜图案，以及布置在该表面上的导电连接图案，其中导电连接图案用于将掩膜图案的分离部分电气连接在一起。

一种光罩及其制作方法-201910316553.0
发明人：徐一建;倪凌云;梁凤云;吴爱娅;李恒杰 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明技术方案公开了一种光罩及其制作方法，所述光罩的制作方法包括：提供包括若干主图形和冗余图形的光罩版图；筛选出易发生静电释放的两相邻主图形；形成连接冗余图形与所述两相邻主图形中面积较小的主图形的辅助图形，所述辅助图形的宽度小于光刻机的分辨率。本发明技术方案利用辅助图形将相邻两主图形之间静电释放的电荷引至冗余图形中，避免了因静电释放而对主图形造成的损伤，提高了产品良率。

一种用于集成电路制造的间距倍增掩膜-201821996234.6
发明人：张华康 -专利权人：深圳市普迪赛半导体有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本实用新型公开了一种用于集成电路制造的间距倍增掩膜，包括玻璃基板，所述玻璃基板的上方设置有密封垫圈，所述密封垫圈为矩形框，所述密封垫圈的上方设置有氧化物薄膜。本实用新型中的第二胶层可反复粘贴，且剥落后无残留，可实现灵活更换，提高清洁、翻新效率，节约掩膜板的清洗成本，并且可在一定程度上保证激光直写的线条精度。

降低光罩静电放电风险的方法及其得到的光罩图形-201810991767.3
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摘要：本发明涉及一种降低光罩静电放电风险的方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括对光罩版图进行通过基于规则的OPC处理得到目标图形，然后通过基于模型的OPC处理，得到初始光罩图形；在初始光罩图形中选出相互不连通的图形之间间距较近的区域生成标记层，在目标图形中该标记层位置处生成辅助图形，其中辅助图形将目标图形中相互不连通的图形连通起来，且辅助图形的尺寸小于当前层关键尺寸；以及对加入辅助图形后的目标图形进行基于模型的OPC处理，得到最终光罩图形，以降低产生尖端静电放电的风险，从而防止光罩图形因静电放电损毁而影响曝光结果，提高半导体器件的良率。

防静电掩膜版原材、防静电掩膜版及其制备方法-201710106501.1
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申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明实施例涉及一种防静电掩膜版原材、防静电掩膜版及其制备方法，所述防静电掩膜版原材包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜外表面还均匀涂布有光刻胶。所述防静电掩膜版则包括玻璃基板以及在玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜经刻蚀处理形成铬膜图形。本发明实施例提供的掩膜板原材通过在玻璃基板和铬膜之间设置导电金属膜，最终制得的掩膜版也带有所述导电金属膜，从而在使用所述掩膜版时，可以及时有效地导出掩膜版使用过程中因接触、摩擦等因素在铬膜图形上产生的静电，使掩膜版铬膜图形有效避免静电的伤害，延长掩膜版的使用寿命，节约成本。

一种掩模板-201410145265.0
发明人：金基用;孙增标;王涛;许朝钦 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明公开了一种掩模板，用以提供一种新型结构的掩模板，避免掩模板上因静电释放而破坏掩模板上掩模图形的问题。所述掩模板包括衬底，以及位于所述衬底上的透光区域和遮光区域，所述遮光区域设置有至少两个分别具有设定掩模图形且可导电的遮光层，还包括一个或多个分别用于电连接至少两个所述遮光层的连接线，所述连接线的宽度为0.3～1.5μm。

光刻掩膜版及光刻掩膜版的制作方法-201610099466.0
发明人：吕振华;陈希;王世君;姜文博;李月;薛艳娜;肖文俊;张勇;包智颖 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本发明公开了一种光刻掩膜版及光刻掩膜版的制作方法，属于显示技术领域。所述光刻掩膜版包括多个微单元，所述多个微单元的长度小于第一长度，所述多个微单元的面积小于第一面积；由同一条信号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸。本发明将长度较长、面积较大的信号线进行切割，单独分离为多个长度较短、面积较小的微单元，由这些微单元组合成掩膜图案，由于微单元无法积累大量的电荷，因此为光刻掩膜版排除了静电击伤的隐患。此外，由于同一条信号线切割而成的各个微单元之间的距离小于曝光机的分辨尺寸，所以不会在TFT基板制作时造成断路。

一种防止玻璃光罩金属图层静电击伤的装置-201520196720.X
发明人：不公告发明人 -专利权人：广州市仕元光电有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： G03F1/40
摘要：本实用新型提供了一种防止玻璃光罩金属图层静电击伤的装置，包括：用于平整PET防静电膜并能够将其贴附到玻璃光罩上的主动辊轴、用于安装PET防静电膜的被动辊轴、以及用于驱动主动辊轴运转的驱动装置，主动辊轴和被动辊轴之间由PET防静电膜连接，被动辊轴的运转则由主动辊轴通过PET防静电膜带动。本实用新型所述一种防止玻璃光罩金属图层静电击伤的装置，通过设置主动辊轴、被动辊轴、以及驱动装置，使得PET防静电膜可以自动贴附到玻璃光罩上,实现防止玻璃光罩金属图层静电击伤的功能。克服了背景技术中所述手工贴附保鲜膜时可操作性差且容易在保鲜膜和玻璃光罩之间形成气泡的弊端。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]防静电光罩在审

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