[发明专利]高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910150363.6 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110034174A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法，属于高电子迁移率晶体管领域。所述高电子迁移率晶体管外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层，所述缓冲层包括第一低温AlN层和应力释放层，所述应力释放层位于所述第一低温AlN层与所述GaN沟道层之间，所述应力释放层包括若干层叠的复合层，所述复合层包括AlN子层、AlGaN子层和GaN子层，所述AlGaN子层位于所述AlN子层和所述GaN子层之间，同一所述复合层中，所述AlN子层比所述GaN子层更靠近所述第一低温AlN层。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 高电子迁移率晶体管 应力释放层 低温AlN层 复合层 外延片 缓冲层 衬底 制备 帽层 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管外延片包括：衬底和顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层，所述缓冲层包括第一低温AlN层和应力释放层，所述应力释放层位于所述第一低温AlN层与所述GaN沟道层之间，所述应力释放层包括若干层叠的复合层，所述复合层包括AlN子层、AlGaN子层和GaN子层，所述AlGaN子层位于所述AlN子层和所述GaN子层之间，同一所述复合层中，所述AlN子层比所述GaN子层更靠近所述第一低温AlN层。
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