[发明专利]一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法有效
| 申请号： | 201910147275.0 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109750266B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 殷红;李宇婧;高伟 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C30B23/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 11569 北京高沃律师事务所 | 代理人： | 赵晓琳 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜材料领域，提供了一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法，包括以下步骤：(1)提供分布有金刚石籽晶的基底；(2)在基底的金刚石籽晶表面进行磁控溅射，得到含有氮化硼晶体的硼碳氮薄膜；所述步骤(2)中磁控溅射的靶材为含碳的氮化硼靶。本发明在金刚石籽晶预处理过的基底上生长硼碳氮薄膜，促进了薄膜中氮化硼纳米晶的生长，提高了硼碳氮薄膜的结晶度和薄膜中氮化硼的成分，为硼碳氮薄膜的生长提供了重要的实验依据，为硼碳氮薄膜在工业领域内的应用提供了新的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硼碳氮薄膜 氮化硼晶体 金刚石籽晶 生长 基底 磁控溅射 氮化硼 薄膜 预处理 氮化硼纳米 薄膜材料 工业领域 应用提供 结晶度 靶材 调控 | ||
【主权项】：
1.一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法，包括以下步骤：/n(1)提供分布有金刚石籽晶的基底；/n提供分布有金刚石籽晶的基底的方法包括：采用含有金刚石籽晶的砂纸抛光基底；/n(2)在基底的金刚石籽晶表面进行磁控溅射，得到含有氮化硼晶体的硼碳氮薄膜；/n所述步骤(2)中磁控溅射的靶材为含碳的氮化硼靶。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学，未经吉林大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910147275.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
