[发明专利]一种各向异性晶体紫外增透膜的制备在审

专利信息
申请号: 201910143528.7 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN109735800A 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: 王昌运;吴先云;陈伟;张星;陈秋华;谢发利 申请(专利权)人: 福建福晶科技股份有限公司
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/58;C23C14/08;C23C14/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350003 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明所提出一种各向异性晶体表面紫外增透膜的制备,针对晶体的各向异性特点,优选膜系结构和镀制工艺参数,有效解决各向异性晶体镀制增透膜容易产生的表面出丝、光洁度差、损伤阈值低等问题。
搜索关键词: 各向异性晶体 增透膜 镀制 制备 光洁度 膜系结构 有效解决 晶体的 出丝 优选 损伤
【主权项】:
1.一种各向异性晶体紫外增透膜的制备,其特征在于:膜系采用Al2O3,HfO2和SiO2三种膜料的组合,膜系结构为S /0.3M/0.36H/0.7M/0.7L/A,其中S代表基底材料,A代表空气,M代表1/4基频波长厚度的Al2O3,H代表1/4基频波长厚度的HfO2,L代表1/4基频波长厚度的SiO2,镀膜设备采用莱宝SYRUSPRO1100镀膜机,在真空环境中将基片表面加热至150℃后缓慢退火,本底真空抽至1.0x10‑6mbar以上;镀制前用低能量的离子源刻蚀40min,镀制过程温度恒定80℃,用低能量离子源辅助沉积,并辅助充入一定量的高纯氧气;镀后真空室内缓慢退火至55℃以下充气,充气完成后待晶体冷却至室温取出。
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